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Asus Vivo Tab TF600 平板電腦 10月26日正式上市發售

隨著搭載 Windows 8 作業系統的手持式行動裝置陸續推出市場， ASUS 宣佈將於 10 月 26 日 Windows 8 正式上市後，隨即推出旗下首款搭載 Windows RT 作業系統的「 Vivo Tab TF600 」 。此外， Asus 已獲得 Windows RT 平板電腦開發資格，並將於美國假日購物季配合美國電訊供應商 AT&T 推出 4G 版 Windows RT 平板電腦。

Asus 近年投放大量資源開發手持式行動裝置，表現積極，除變形系列平板電腦令用家改變對平板電腦的傳統印象外，早前更發佈第一款搭載 Windows 8 RT 作業系統的 Vivo Tab TF600 平板電腦，並支援 4G LTE 高速網絡傳輸，令用家可率先以高速傳輸網絡使用最新作業系統。

這次是 Asus 繼與歐洲電訊供應商 Vodafone 合作後， Asus 再次與國際級的電訊供應商合作，公開宣佈時成為美國消費市場的關注焦點。並反映出 Asus 正為加強在平板市場上的佔有率，積極搶攻美國消費市場，並期許在國際市場開創嶄新局面。

 

Asus Vivo Tab RT 採用 10.1 吋 IPS 屏幕，支援 1366x766 解析度和 10 點觸控技術，屏幕亮度達 600nits ，提供清晰亮麗的影像顯示效果。硬件配備方面， Vivo Tab RT 內建 NVIDIA Tegra 3 TE 4 核心處理器，內建 2GB 記憶體、 800 萬後置鏡頭和 200 萬像前置鏡頭，提供 32GB 儲存容量等，更可搭配鍵盤基座，提供方便的文字輸入操作，亦可作延長電池使用時間之用。

價格方面，由於 Win8 平板因需交付 Microsoft US$70 ~ 90 的軟體授權費，使其售價一直高企，據了解， Acer 早前已宣佈 11.6 吋的高階 Win8 平板 Iconia W700 售價以 US$799 起跳， Lenovo 10.1 吋平板的 ThinkPad Tablet 2 也定價在 US$799 ，而 這次由 Asus 推出的 Vivo Tab TF600 訂價則僅為 US$599 起，競爭力不俗。

預期隨著 Windows 8 正式上市，搭載 Windows 8 作業系統的手持式行動裝置將百花齊放，但另一方面，據市場分析認為，將於 10 月中旬發佈的 iPad Mini 在年底正式加入戰場後，勢必令 Win8 產品的市場分額產生阻力。

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行動式記憶預期2013 年將更進一步提升至 24%

　　隨著智慧型手機與平板電腦等行動裝置出貨持續成長，因而帶動行動式記憶需求，記憶體產業中的總產出比重也從 2010 年的 11% 逐年提升，其中據市場調查機構 DRAMeXchange 最新發表的市況報告指出，預期 2012 年行動式記憶體的產出比重將提升 21% ， 2013 年將更進一步提升至 24% ，展望 2013 年 LPDDR2 出貨量可達行動式記憶體整體出貨量的 70% 或以上，同時 LPDDR3 將於 2013 年登場，並開始應用在高階產品之中。

　　據 DRAMeXchange 表示，隨著智慧型手機與平板電腦興起，行動式記憶需求持續提升， LPDDR2 價格已追平 LPDDR1 ，加上 SoC 規格不斷提升，主流智慧型手機將以雙核與四核心為主，因此需要搭配 LPDDR2 以上的規格才能發揮最佳的運算效能，令 LPDDR2 需求大增，預期至明年 LPDDR2 將佔整體行動式記憶體產量的 70% 或以上，同時 LPDDR1 的需求將會逐步下滑。

　　另一方面， 2013 年 LPDDR3 也會嶄露頭角，不過據分析指出高階的智慧型手機、平板電腦及 Ultrabook 機種雖然可導入 LPDDR3 作為記憶體配備，但僅依賴高階機種將未會為 LPDDR3 提供強大需求動力，而且 LPDDR3 與 LPDDR2 將有一定差距，因此 2013 年 LPDDR2 仍然會穩居行動式記憶體市場主流，而 LPDDR3 要取代 LPDDR2 成主流最快也要 2014 年。

　　目前市場上提供 LPDDR2 記憶體顆粒的製造商主要有四家，包括業界龍頭 Samsung ，其他分別為 SK Hynix 、 Elpida 和 Micron ，其中 Samsung 行動式記憶體產品製程除了 LPDDR1 以外，其餘均已轉進至 35nm 製程， SK Hynix 主流製程則為 38nm ，而 Elpida 和 Micron 在 LPDDR2 製程中均採用 30nm 各家廠商在單顆粒產出的效率與技術不相伯仲，而且對於 2x nm 製程進度較為保守，預期 2013 年上半年 3x nm 仍然會是主流生產技術，而上述四家主要行動式記憶體供應商的 LPDDR2 mono die 在 2013 年主流的單位容量顆粒應是 4Gb ，成品容量的搭配上預計也大同小異。

　　綜合目前記憶體市場勢態發展，據 DRAMeXchange 指出， 2013 年的行動式記憶體市場雖然有智慧型手機與各種行動裝置帶來穩定的成長，但在標準型記憶體的產能大舉轉向至行動式記憶體的情況下，行動式記憶體產能將會大增，也對供需平衡造成一定考驗，會否出現供過於求情況將於下年每季行動式記憶體的價格降幅上反映出來，在目前技術上差距不大下，獲利關鍵在於精確掌握生產成本、提高生產良率以及善用多樣化的產品組合，預期行動式記憶體市場競爭十分激烈。

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DeepCool NepTwin雙塔式散熱器

　　針對高階處理器發熱量對散熱有更高要求， DeepCool 最新推出全新 NepTwin 雙高塔式處理器散熱器，內建 6 條純銅 Heatpipe 導熱管，並配備兩把 12cm 風扇將處理器熱力迅速帶走，可完全支援 150W TDP 的處理器，為系統提供穩定表現。

　　DeepCool NepTwin 雙高塔式處理器散熱器採用經過鍍鎳處理的兩組塔式散熱鰭片群設計，精密平均地以非對稱組合排列，能減少更多風阻，提升空氣對流效率，再由 6 條高性能純銅導熱管分佈貫穿，提供強力散熱效能，而且散熱器經鏡面拋光設計，導熱與 CPU 緊密接觸，進而提升散熱表現。

　　同時，散熱器配備兩把 12cm 風扇，最高風流量達 55.5CFM ，其中一把採用 Hydro-bearing 軸承溫控風扇，每分鐘轉速可達 900 ~ 1600RMP ，噪音只維持 17.8 ~ 21dBA ，另一把採用 Hydro-bearing 軸承風扇，每分鐘可達 1600RMP ，噪音只維持 21dBA 。

　　散熱器平台兼容性強，可支援 LGA2011 、 LGA1366 、 1156 、 1155 及 775 等主流 Intel 平台，也支援 AMD FM1 、 AM3+ 、 AM3 、 AM2+ 和 AM2 等平台。此外，為了讓主機板在散熱風扇方面更有彈性，隨盒附送 1 變 4 風扇集線器，最多可同時支持 4 個 PWM 風扇，並支援多功能智慧調速，而且相容風扇 3PIN 與 4PIN 介面，即日起於香港通路市場發售，其建議零售價為港幣 $429 ，提供 3 年保固服務。